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Nouveaux produits

Les composants onsemi 1200 V EliteSiC M3S de nouvelle génération

Publication: Mai 2023

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Objectif : améliorer l’efficacité des véhicules électriques et des applications d’infrastructure énergétique. La nouvelle gamme comprend des MOSFET à commutation rapide et des modules de puissance intégrés en demi-pont avec le Rds(on) le plus bas de l’industrie par position de commutateur dans des boîtiers standard...
 

Onsemi, un leader des technologies intelligentes d’alimentation et de détection, a annoncé aujourd’hui la sortie de la dernière génération de composants M3S en carbure de silicium (SiC) EliteSiC 1200 V, qui permettent aux concepteurs d’électronique de puissance d’atteindre le meilleur rendement de sa catégorie et réduire le coût du système. La nouvelle gamme comprend des MOSFET EliteSiC et des modules qui facilitent des vitesses de commutation plus élevées pour prendre en charge le nombre croissant de chargeurs embarqués (on-board charger, OBC) pour véhicules électriques (EV) 800 V et d’infrastructures énergétiques telles que la recharge des EV, les systèmes solaires et de stockage d’énergie.

Le portefeuille comprend également de nouveaux composants EliteSiC M3S dans des modules intégrés de puissance (power integrated modules, PIM) en demi-pont avec le Rds(on) le plus bas de l’industrie dans un boîtier F2 standard. Destinés aux applications industrielles, les modules sont parfaitement adaptés aux étages de conversion haute puissance DC-AC, AC-DC et DC-DC. Ils offrent des niveaux d’intégration plus élevés avec des conceptions en cuivre à liaison directe optimisées pour permettre un partage de courant et une distribution thermique équilibrés entre les commutateurs parallèles. Les PIM sont conçus pour fournir une densité de puissance élevée dans les infrastructures énergétiques, une charge rapide DC dans les véhicules électriques et des alimentations sans interruption (UPS).

« La dernière génération de produits EliteSiC M3S pour l’automobile et l’industrie d’onsemi permettra aux concepteurs de réduire l’empreinte de leurs applications et les exigences de refroidissement du système », a déclaré Asif Jakwani, vice-président directeur et directeur général de la division Advanced Power d’onsemi. « Ainsi les concepteurs peuvent développer des convertisseurs de haute puissance avec des niveaux d’efficacité plus élevés et des densités de puissance accrues. »

Les MOSFET 1200 V EliteSiC qualifiés pour l’automobile sont conçus pour les convertisseurs OBC à haute puissance jusqu’à 22 kW et les convertisseurs DC-DC haute tension vers basse tension. La technologie M3S a été développée spécifiquement pour les applications de commutation à grande vitesse et possède le meilleur facteur de mérite de sa catégorie pour les pertes de commutation.

https://www.onsemi.com/

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