Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé un MOSFET de puissance à canal N pour répondre à la demande croissante du marché en matière d’amélioration de l’efficacité des circuits d’alimentation. Ce nouveau TK024N60Z1 utilise le processus éprouvé de la série DTMOSVI 600 V avec une structure de super jonction pour obtenir une faible résistance à l’état passant et des pertes de conduction réduites. Les applications cibles comprennent les serveurs dans les centres de données, les alimentations à découpage pour les équipements industriels et les conditionneurs d’alimentation pour les générateurs photovoltaïques.

Le TK024N60Z1 affiche une résistance drain-source R DS(ON) de 0,024 Ω (max), ce qui est la plus faible de la série DTMOSVI 600 V. Il améliore également l’efficacité de l’alimentation, ce qui réduit la production de chaleur. Combiné au boîtier TO-247, qui assure une dissipation thermique élevée, le TK024N60Z1 offre de bonnes caractéristiques de gestion de la chaleur.

Comme les autres MOSFET de la série DTMOSVI 600 V, le TK024N60Z1 bénéficie d’une conception et d’un processus de grille optimisés. Cela réduit d’environ 13 % la valeur de la résistance drain-source à l’état passant par unité de surface. Plus important encore, la résistance drain-source à l’état passant × charge grille-drain est réduite d’environ 52 % par rapport aux produits de la série DTMOSIV-H de la génération classique de Toshiba avec la même tension nominale drain-source. Cela signifie que la série DTMOSVI, y compris le TK024N60Z1, offre un meilleur compromis entre perte de conduction et perte de commutation, ce qui permet d’augmenter l’efficacité des alimentations à découpage.

Pour améliorer encore l’efficacité des alimentations à découpage, Toshiba propose des outils qui prennent en charge la conception de circuits pour les blocs d’alimentation à découpage. Il s’agit notamment du modèle G0 SPICE, qui permet de vérifier rapidement le fonctionnement du circuit, et des modèles G2 SPICE très précis qui reproduisent les caractéristiques transitoires.

Le MOSFET de puissance à canal N TK024N60Z1 illustre l’engagement de Toshiba à poursuivre l’expansion de la série DTMOSVI et à soutenir la conservation de l’énergie en réduisant les pertes de puissance dans les alimentations à découpage.

https://toshiba.semicon-storage.com/