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En 2024, plus de 70 nouvelles références destinées aux applications analogiques et de gestion de la consommation ont été lancées. Pour accompagner l’expansion de la gamme de produits Nexperia, Farnell a élargi son offre de références en adéquation avec la gamme en pleine croissance, afin de mieux répondre aux besoins des ingénieurs du monde entier.

Nexperia est réputée pour la qualité et la fiabilité de ses composants discrets, circuits intégrés de puissance et logiques, et a réalisé un investissement substantiel dans la fabrication. Cela inclut un engagement de 200 millions de dollars dans les technologies SiC et GaN sur son site de Hambourg, en Allemagne. Cet investissement commence à porter ses fruits, avec une gamme de produits en forte croissance comprenant des MOSFET de puissance, des semiconducteurs à large bande interdite, des IGBT, ainsi que des circuits intégrés analogiques et de gestion de la consommation.

Ces avancées en matière de fabrication et ces lancements de nouveaux produits mettent en évidence l’engagement de Nexperia à faire progresser ses capacités de production et à répondre aux demandes futures. L’élargissement de la gamme de produits de puissance Nexperia en stock chez Farnell reflète cette volonté de répondre à la demande.

Jose Lok, Directeur de la catégorie produits mondiaux, composants passifs et semiconducteurs chez Farnell, déclare : « On ne saurait trop insister sur l’importance des produits de puissance de pointe, et Nexperia fournit certains des meilleurs produits, qu’ils soient destinés aux applications automobiles, industrielles ou portables. Nous partageons leur objectif de veiller à ce que les développeurs puissent accéder exactement aux composants dont ils ont besoin, quand ils en ont besoin. Avec un stock complet de produits Nexperia disponible en Amérique, dans la zone EMEA et dans la zone APAC, nous sommes prêts à accompagner les ingénieurs du monde entier. »

Les nouvelles séries disponibles chez Farnell sont les suivantes :

 MOSFET de puissance : MOSFET de puissance homologués pour l’automobile, MOSFET à signaux faibles et MOSFET spécifiques aux applications de 20V à 100V. Ces appareils offrent d’excellentes performances de commutation et de robustesse dans les boîtiers à clip cuivre (LFPAK, CCPAK) et les boîtiers Micro Lead (MLPAK).
 Les IGBT discrets 650V des séries H (rapide) et M (entraînement moteur) offrent robustesse, fiabilité élevée et une densité de puissance de variateur améliorée pour les applications industrielles à moyenne et haute tension.
 Les diodes SiC proposent un comportement de coupure capacitif indépendant de la température et de commutation zéro récupération, combiné à un facteur de mérite exceptionnel (QC x VF).
 Les MOSFET SiC offrent une excellente stabilité de température RDSon, vitesse de commutation rapide et robustesse élevée contre les courts-circuits pour les applications industrielles haute puissance et haute tension.
 Les FET GaN e-mode basse tension, les FET GaN e-mode 650V, les FET GaN bidirectionnels 40V et les FET GaN en cascode 650V sont conçus pour offrir une densité de puissance accrue grâce à la réduction des pertes de conduction et de commutation dans les applications de conversion de puissance, qu’elles soient de faible ou de forte puissance
 Redresseurs de puissance qui fournissent une densité de puissance tout en minimisant le temps de récupération inverse et la perte

Kinga Czutro, Gestionnaire de compte senior, Distribution, chez Nexperia, a déclaré : « Nous sommes fiers de voir nos produits de puissance reconnus pour leurs performances dans un si large éventail d’applications. L’engagement de Farnell en matière de disponibilité et d’assistance est un élément clé pour aider les ingénieurs à concrétiser leurs conceptions rapidement et de manière fiable. Ce partenariat reflète clairement cette vision commune. » Cette nouvelle gamme de produits de puissance Nexperia est désormais disponible et expédiée par Farnell dans la zone EMEA, Newark en Amérique du Nord et element14 dans la zone APAC.

https://www.farnell.com