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La technologie BiCS FLASH™ de 8e génération offre des gains de performances et d’efficacité

KIOXIA Europe - leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui que KIOXIA commençait à tester la nouvelle version Universal Flash Storage[1] (UFS) 4.1 de mémoire flash embarquée, utilisant une technologie à 4 bits par cellule, dite Quadruple-Level Cell (cellule à quadruple niveau)(QLC). Conçus pour les applications à forte intensité de lecture et les besoins de stockage de grande capacité, les nouveaux dispositifs s’appuient sur la technologie de mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA.

La technologie QLC UFS offre une densité de bits plus élevée que les TLC UFS traditionnels, ce qui en fait la solution adaptée pour les applications mobiles qui nécessitent des capacités de stockage supérieures. Les progrès réalisés dans le domaine de la technologie des contrôleurs et de la correction d’erreurs ont permis à la technologie QLC d’atteindre cet objectif tout en maintenant des performances compétitives.

S’appuyant sur ces avancées, les nouveaux dispositifs KIOXIA atteignent des gains de performances significatifs[2]. La mémoire UFS QLC de KIOXIA améliore les vitesses d’écriture séquentielle de 25 %, les vitesses de lecture aléatoire de 90 % et les vitesses d’écriture aléatoire de 95 % par rapport à la génération précédente (UFS 4.0 / UFS QLC BiCS6)[3]. Le facteur d’amplification d’écriture (WAF) est également amélioré jusqu’à 3,5 fois (avec WriteBooster désactivé).

Parfaitement adaptée aux smartphones et aux tablettes, la mémoire UFS QLC de KIOXIA prend également en charge de nouvelles catégories de produits nécessitant des capacités et des performances accrues, notamment les PC, les équipements réseau, les dispositifs de réalité augmentée et virtuelle (AR/VR), l’IoT et les appareils compatibles avec l’IA.

Disponibles en capacités de 512 gigaoctets (Go) et 1 téraoctet (To), les nouveaux dispositifs UFS 4.1 combinent la mémoire flash 3D BiCS FLASHTM avancée de KIOXIA et un contrôleur intégré dans un boîtier conforme au standard JEDEC. La mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA introduit la technologie CMOS directement reliée à la matrice (CBA) – une innovation architecturale qui représente un véritable saut dans la conception des mémoires flash.

Les principales fonctionnalités incluent :

 Conforme à la spécification UFS 4.1. L’UFS 4.1 est rétrocompatible avec l’UFS 4.0 et l’UFS 3.1.
 Mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA
 Prise en charge de WriteBooster pour des vitesses d’écriture sensiblement plus élevées
 Taille du boîtier réduite par rapport à la précédente génération de UFS QLC : 11×13 mm ¨ 9×13 mm

« Chez KIOXIA, l’innovation en mémoire flash est au cœur de notre réponse aux exigences croissantes en matière de capacité et de performance », a déclaré Axel Störmann, vice-président et directeur technique de KIOXIA Europe. « Avec l’UFS QLC 4.1, les dernières avancées en matière d’architecture et de conception se traduisent par des capacités concrètes permettant à nos clients de répondre à des cas d’usage mobiles et connectés de plus en plus complexes et diversifiés. »