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La décision favorable de l’ITC américaine pourrait rebattre les cartes du marché GaN industriel et renforcer les positions européennes dans les alimentations haute efficacité et les architectures de conversion rapide.

Le marché du nitrure de gallium continue de se structurer sous forte tension concurrentielle. Le 7 mai 2026, Infineon Technologies a annoncé que l’US International Trade Commission (ITC) avait confirmé une violation de brevet impliquant le fabricant chinois Innoscience sur des technologies GaN utilisées dans les applications de conversion de puissance. La décision prévoit des restrictions d’importation et de commercialisation sur le territoire américain.

Pour les industriels européens de l’électronique de puissance, cette annonce dépasse largement le cadre juridique. Elle confirme la montée stratégique du GaN dans les architectures industrielles haute densité énergétique, notamment dans les alimentations serveurs IA, les convertisseurs embarqués, les infrastructures de recharge rapide et les variateurs industriels à haut rendement.

Cette décision pourrait également accélérer la consolidation du marché autour des détenteurs de portefeuilles IP solides. Infineon renforce ainsi sa crédibilité face à Wolfspeed, Navitas ou EPC dans la bataille des modules à très haut rendement. Les fabricants EMS et intégrateurs devront probablement anticiper des ajustements de sourcing sur certains composants GaN destinés au marché américain. Plusieurs analystes évoquent déjà un possible réalignement des chaînes d’approvisionnement pour les références critiques de puissance.

Source : Infineon Technologies