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Cette nouvelle gamme utilise trois types de boîtiers : le SOT‑23F polyvalent, le TSOP6F à dissipateur thermique et le compact UDFN6B afin de répondre à la demande croissante en systèmes d’alimentation 48 V et 24 V

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a élargi sa gamme de MOSFET de puissance à canal N avec le lancement de neuf nouveaux composants, disponibles en trois types de boîtiers compacts à dissipation thermique élevée. La nouvelle gamme comprend trois produits de 100 V destinés aux circuits d’alimentation 48 V des équipements industriels et six produits de 60 V destinés aux systèmes 24 V.

Ces lancements répondent directement aux tendances actuelles du marché, où les circuits d’alimentation des équipements industriels passent des systèmes conventionnels 12 V et 24 V aux systèmes de 48 V afin de réduire la consommation d’énergie. Les courants d’appel et les surtensions sur les lignes 48 V pouvant entraîner une tension supérieure à 50 V (voire 80 V), des MOSFET conçus pour supporter 100 V sont nécessaires pour garantir un fonctionnement fiable. De plus, l’augmentation des tensions d’alimentation exige un rendement plus élevé, des pertes plus faibles et une réduction de la taille des composants. Pour répondre à ces tendances du marché, Toshiba a développé des produits compatibles avec les lignes 48 V et les lignes 24 V, qui sont actuellement les plus répandues.

Afin de répondre aux exigences variées des équipements industriels modernes, ces produits sont disponibles en trois types de boîtiers distincts. Les concepteurs privilégiant la polyvalence et la facilité de mise en œuvre peuvent utiliser le boîtier SOT-23F de 2,9 mm x 2,4 mm, offrant une dissipation de puissance de 1 W. Pour les applications nécessitant une dissipation de puissance plus élevée et une excellente dissipation thermique, le boîtier TSOP6F est disponible à 1,5 W et mesure 2,9 mm x 2,8 mm. Pour les conceptions où la miniaturisation est essentielle, le boîtier UDFN6B offre une solution ultra-compacte et peu encombrante, avec une empreinte typique de 2,0 mm x 2,0 mm et une dissipation de puissance nominale de 1,25 W.

Malgré leur taille compacte, ces trois types de boîtiers présentent une faible résistance à l’état passant (RDS(ON)), ce qui réduit considérablement la consommation d’énergie des équipements. Cette combinaison de rendement élevé, de faibles pertes et de taille réduite compacité permet de nombreuses applications, allant des automates programmables industriels (PLC), des variateurs de fréquence/servomoteurs et des serveurs, jusqu’aux appareils électroménagers grand public tels que les ampoules LED, les chauffe-eau, les purificateurs d’eau et les aspirateurs robots.

Pour les lignes d’alimentation 48 V, Toshiba propose des MOSFET canal N de 100 V affichant une RDS(ON) de 198 mΩ :

 SSM3K387R [SOT-23F]
 SSM6K387R [TSOP6F]
 SSM6K387NU [UDFN6B]

Pour les lignes d’alimentation 24 V, Toshiba propose des MOSFET canal N 60 V affichant une RDS(ON) de 99 mΩ :

 SSM3K388R [SOT-23F]
 SSM6K388R [TSOP6F]
 SSM6K388NU [UDFN6B]

Pour les lignes d’alimentation 24 V, Toshiba propose des MOSFET canal N 60 V affichant une RDS(ON) de 200 mΩ :

 SSM3K389R [SOT-23F]
 SSM6K389R [TSOP6F]
 SSM6K389NU [UDFN6B]

Toshiba continue d’élargir sa gamme de MOSFET à canal N afin de répondre aux besoins croissants du secteur industriel en solutions d’alimentation miniaturisées et à haut rendement.