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Mouser Electronics, Inc., le distributeur leader de l’industrie dans l’introduction de nouveaux produits (NPI) avec la plus large sélection de composants électroniques et de semi-conducteurs™, propose désormais les nouveaux transistors à effet de champ en nitrure de gallium (GaN FET) GaNEXUS™ d’onsemi. Les transistors GaN FET GaNEXUS exploitent les propriétés de large bande interdite du semi-conducteur GaN pour assurer une commutation rapide, une faible charge de grille et de sortie, ainsi qu’un rendement supérieur pour les applications d’IA, de centres de données, d’automatisation industrielle, de robotique et d’infrastructures d’énergie.

Disponibles chez Mouser, les GaN FET GaNEXUS d’onsemi permettent d’augmenter les fréquences de fonctionnement, d’accroître la densité de puissance et de réduire la taille des éléments magnétiques dans les applications de conversion de puissance, sur les plages de basse, moyenne, haute et très haute tension. Ces transistors GaN discrets à haute mobilité électronique (HEMT) et en mode à enrichissement offrent une plage de tension de 40 à 650 V. La gamme comprend ainsi les GaN FET 650 V GaNEXUS Smart avec protections embarquées pour renforcer la fiabilité et simplifier l’intégration système. Les solutions GaNEXUS optimisent la conversion et la gestion de l’énergie dans les systèmes d’alimentation modernes. Elles permettent aux concepteurs de simplifier la conception, d’accélérer le développement et la qualification, de réduire les exigences thermiques et de refroidissement, tout en optimisant les performances sur l’ensemble de la chaîne de distribution d’énergie.

Dans les systèmes basse et moyenne tension – serveurs IA, convertisseurs de bus intermédiaires (IBC) 48 V, unités de secours sur batterie (BBU) et commandes de moteurs –, les transistors GaNEXUS permettent de réduire la taille des éléments magnétiques, d’augmenter la densité de puissance, d’améliorer le rendement et le comportement thermique, de renforcer la stabilité de la commande et de réduire les pertes par commutation. Dans les applications à plus haute tension, telles que les tiroirs d’alimentation IA, la conversion CC-CC haute tension et les étages de puissance PFC et LLC, la gamme GaNEXUS permet de réduire jusqu’à 60 % la taille des éléments magnétiques dans les étages CA-CC haute fréquence et les étages résonants. Elle offre en outre une densité de puissance supérieure dans les architectures PFC, LLC et CC-CC haute tension, ainsi que des gains de rendement sur les coûts thermiques et d’exploitation.

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