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Une capacité élevée à supporter les courants de surtension contribue à améliorer la fiabilité du système

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a annoncé aujourd’hui l’élargissement de sa gamme avec le lancement de l’IX800FXF2YMS4, un module à double MOSFET SiC. Ce nouveau module offre une capacité élevée de courant de surtension, garantissant un fonctionnement fiable des équipements industriels, notamment les onduleurs et convertisseurs pour véhicules ferroviaires et les systèmes de conversion de puissance tels que les transformateurs à semi-conducteurs, les alimentations sans coupure (UPS) et les systèmes de stockage d’énergie, ainsi que les équipements de commande de moteurs industriels. Il contribue également à améliorer le rendement du système grâce à la réduction des pertes par conduction et par commutation.

L’IX800FXF2YMS4 utilise les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) de troisième génération améliorés de Toshiba. Ce module présente une tension drain-source (VDSS) nominale de 3300 V et un courant de drain (DC) nominal (ID) de 800 A.

L’IX800FXF2YMS4 présente une valeur I²t nominale de 300 kA²s pour sa diode, à une température initiale du canal de 175 °C, une tension VGS = -6 V, une impulsion demi-sinusoïdale unique de 10 ms et un rapport de fréquence (F.R.) de 1 %. Ce paramètre indique la capacité de la diode à supporter un courant de surtension dans des conditions de fonctionnement anormales. C’est la conception optimisée du MOSFET SiC qui permet d’atteindre ces performances, contribuant ainsi à améliorer la fiabilité des équipements.

De plus, les faibles pertes par conduction et par commutation du module contribuent à améliorer le rendement des équipements, permettant de réduire les besoins en refroidissement. La tension de conduction drain-source à l’état passant (VDS(on)sense) est de 1,4 V pour ID = 800 A, VGS = +20 V et Tch = 25 °C. Les pertes typiques à l’activation et à la désactivation (Eon et Eoff) représentent respectivement 185 mJ et 175 mJ, pour des valeurs de VDD = 1800 V, ID = 800 A et Tch = 175 °C.

Ce nouveau composant est encapsulé dans le boîtier iXPLV™ (Intelligent Flexible Package Low Voltage), qui utilise une technologie de fixation de puce par frittage d’argent (Ag) pour améliorer la résistance thermique et la fiabilité, et supporte une température de canal maximale de 175 °C. Son lancement porte à quatre le nombre de produits de la gamme de modules MOSFET SiC en boîtier iXPLV de Toshiba.

Toshiba continuera d’élargir sa gamme de modules MOSFET SiC à destination des équipements industriels et proposera un choix de produits plus vaste afin de répondre aux diverses spécifications et applications. Toshiba contribuera également à améliorer la fiabilité des équipements industriels, à accroître leur rendement et à favoriser des conceptions plus compactes.

Pour en savoir plus sur le nouveau module MOSFET SiC IX800FXF2YMS4, veuillez consulter le site web de Toshiba : https://toshiba.semicon-storage.com...

Suivez le lien ci-dessous pour en savoir plus sur les composants de puissance SiC de Toshiba : https://toshiba.semicon-storage.com...