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Nouveaux produits

Linear Technology Corporation annonce le LTC4444

Publication: Mars 2008

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Un pilote de MOSFET, rapide, synchrone, à tension d’entrée élevée (100 V), conçu pour piloter les MOSFET canal N de puissance haut et bas, dans des topologies de convertisseurs à redressement synchrone.
 

Ce pilote, associé à des MOSFET de puissance et à un des nombreux contrôleurs DC/DC de Linear Technology, constitue un convertisseur synchrone complet de rendement élevé. Ce pilote puissant peut fournir entre sortie et masse jusqu’à 2,5 A, avec une impédance de 1,2 ohm pour piloter le MOSFET supérieur et jusqu’à 3 A avec une impédance de 0,55 ohm pour le MOSFET inférieur, ce qui le rend idéal pour le pilotage de MOSFET de forte intensité et de capacité de porte élevée. Le LTC4444 peut également piloter plusieurs MOSFET en parallèle, pour des applications de plus forte intensité. Le temps de montée rapide de 8 ns, et le temps de descente de 8 ns du MOSFET supérieur, le temps de montée de 6 ns et le temps de descente de 3 ns du MOSFET inférieur, permettent de minimiser les pertes de commutation, sur une charge de 1 000 pF. Une protection est intégrée pour réduire le temps mort afin d’empêcher les deux MOSFET, supérieur et inférieur, d’être conducteurs simultanément.

Le LTC4444 est configuré pour deux entrées d’alimentation indépendante. Le signal logique d’entrée côté haut est amené au niveau de l’alimentation d’amorçage de façon interne, qui peut fonctionner jusqu’à 114 V au dessus de la masse. Bien plus, ce composant pilote les grilles des deux MOSFET, supérieur et inférieur, sur une gamme de tensions de 7,2 V à 13,5 V

Le LTC4444EMS8 et le LTC4444MS8 sont présentés en boîtier MSOP-8, à performances thermiques renforcées.

Résumé des caractéristiques : LTC4444

· Pilote de MOSFET canal N synchrone, forte tension, vitesse élevée · Tension d ‘alimentation : 100 V max. · Pilote fort courant : sortant 3 A sur 0,55 ohm · Tension de pilotage de grille : 7,2 V à 13,5 V · Protection contre le recouvrement de conduction des MOSFET · Grille MOSFET supérieur : temps de montée 8 ns, temps de descente 5 ns, sur une charge de 1 000 pF · Grille MOSFET inférieur : temps de montée 6 ns, temps de descente 3 ns, sur une charge de 1 000 pF · Blocage en cas de sous tension de commande de grille · Boîtier MSOP-8, à performances thermiques renforcées

http://www.linear.com

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