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Ce pilote, quand il est associé à des MOSFET de puissance et un des nombreux contrôleurs DC/DC de Linear Technology, constitue un régulateur synchrone complet, de haut rendement, qui peut être utilisé en tant que convertisseur DC/DC abaisseur ou élévateur. Ce pilote puissant peut accepter jusqu’à 5 A entrant et fournir jusqu’à 2,4 A, ce qui le rend idéal pour piloter des MOSFET de forte intensité et de capacité de grille élevée. Le LTC4443/-1 peut également piloter plusieurs MOSFET en parallèle, pour des applications de plus forte intensité. La faible durée de montée de 12 ns et le temps de descente de 8 ns, sur une charge de 3000 pF, permettent de minimiser les pertes de commutation. Une protection adaptative, contre les recouvrements de conduction, est intégrée pour empêcher les deux MOSFET, supérieur et inférieur, d’être conducteurs simultanément, ce qui réduit le temps mort. Une diode Schottky de tirage, intégrée, simplifie le circuit. Le LTC4443/-1 possède une entrée PWM à trois états pour arrêter l’étage de puissance qui est compatible avec tous les contrôleurs multi-phases ayant une sortie à 3 états. Il possède également une alimentation séparée pour les circuits logiques d’entrée, assurant la compatibilité avec l’excursion du signal du circuit intégré contrôleur, et possède aussi un circuit de blocage en cas de sous tension, à la fois sur les alimentations du pilote et du circuit logique. De plus, ce composant pilote les deux MOSFET, supérieur et inférieur, sur une gamme de tensions de 6 V à 9,5 V et fonctionne sur une tension d’alimentation jusqu’à 38 V. La version -1 a une tension Vcc de blocage supérieure, en cas de sous tension, de 6,2 V au lieu de 3,2 V, dans le but de piloter des MOSFET canal N, de tension de niveau logique 5 V standard. Le LTC4443EDD et le LTC4443EDD-1 sont présentés en boîtier DFN-12. Les LTC4443IDD et LTC4443IDD-1 sont testés et garantis pour un fonctionnement sur une gamme de températures de - 40°C à + 85°C.

caractéristiques : LTC4443/-1

 Pilote de MOSFET canal N, synchrone
 Pilote forte intensité : sortant 2,4 A, entrant 5 A
 Protection contre les recouvrements de conduction
 Grille MOSFET supérieur : temps de descente de 8 ns, sur une charge de 3000 pF
 Grille MOSFET supérieur : temps de montée de 12 ns, sur une charge de 3000 pF
 Entrée PWM à trois états pour arrêter l’étage de puissance
 Diode Schottky de tirage intégrée
 Tension d’alimentation maximum : 38 V
 Tension de pilotage de grille : 6 V à 9,5 V
 Tension de blocage en cas de sous tension (UVLO) : LTC4443 de 3,2 V
 Tension de blocage en cas de sous tension (UVLO) : LTC4443-1 de 6,2 V

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