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Disponible en boîtier PQFN compact 5x6 mm, l’AUIRFN8403, premier membre d’une nouvelle famille de composants, utilise la technologie en tranchées 40 V COOLiRFET™ la plus avancée d’IR, et affiche une résistance à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3,3 mOhm tout en supportant des courants allant jusqu’à 95 A. Le boîtier PQFN présente une broche étamée étendue assurant une meilleure soudure et simplifiant l’inspection de celle-ci.

L’AUIRFN8403 permet une réduction de l’encombrement de plus de 50 % par rapport aux solutions conventionnelles en boîtier DPAK (TO-252), et des performances thermiques améliorées de manière significative par rapport au boîtier SO-8. Il constitue ainsi une solution ultra-compacte, à rendement et densité élevés pour les applications automobiles.

Les MOSFET automobiles d’IR sont soumis à des tests statiques et dynamiques, combinés à 100% d’inspection visuelle des Wafers entièrement automatisée, dans le cadre de l’initiative qualité automobile d’IR visant le zéro défaut. Les standards AEC-Q101 exigent que la variation de Rds(on) reste inférieure à 20 % après un millier de cycles de test en température.

Ce nouveau composant est conforme aux standards AEC-Q101 et utilise des matériaux respectueux de l’environnement, sans plomb et conformes RoHS. Une datasheet est disponible sur le site Web d’International Rectifier,

http://www.irf.com