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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») vient de lancer cinq MOSFET 1 200 V au carbure de silicium (SiC), qui exploitent la technologie SiC de 3ème génération de la société, pour améliorer l’efficacité énergétique des applications industrielles haute tension. Ces MOSFET sont utilisés dans des équipements comme les stations de recharge de véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations industrielles, les alimentations sans coupure (UPS), et les convertisseurs CC-CC bidirectionnels ou demi-pont.

En améliorant de plus de 80% le facteur de mérite égal au produit de la résistance à l’état passant multipliée par la charge électrique grille-drain (RDS(on) x QGD), la dernière technologie SiC de Toshiba améliore les performances de conduction et de commutation dans les topologies de conversion de puissance.

En outre, ces nouveaux dispositifs contiennent l’innovante diode à barrière Schottky (SBD) intégrée, déjà éprouvée dans la génération précédente. La diode SBD intégrée améliore la fiabilité des MOSFET SiC en s’opposant aux effets parasites internes pour maintenir une RDS(on) stable.

En outre, ces produits présentent une plage généreuse de tension grille-source maximale, de -10 V à +25 V, ce qui offre plus de souplesse pour fonctionner dans de multiples configurations de circuits et conditions d’application. La tension de seuil de grille (VGS(th)), de 3,0 V à 5,0 V, garantit des performances de commutation prévisibles, avec une dérive minimale, et simplifie la conception du circuit driver de grille.

Les MOSFET SiC de 3ème génération disponibles dès aujourd'hui sont les TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C et TW140N120C. Ces dispositifs présentent des valeurs R DS(on) de 15 mΩ à 140 mΩ (typique, pour V GS = 18 V) et des courants de drain de 20 A à 100 A (CC à T C = 25°C).

Tous ces dispositifs sont déjà produits en série et peuvent être commandés auprès des distributeurs, en boîtier de puissance standard TO-247.

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