Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Littelfuse, société créatrice de technologies industrielles en faveur d’un monde plus durable, plus connecté et plus sûr, est fière d’annoncer le lancement de sa commande de grille Low Side IX4352NE pour MOSFET SiC et IGBT. Cette commande innovante est spécifiquement conçue pour commander les MOSFET au carbure de silicium (SiC) et les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance dans les applications industrielles.
L’atout majeur de l’IX4352NE réside dans ses sorties distinctes pour l’alimentation 9 A et le collecteur qui permettent une temporisation d’activation / de coupure sur mesure tout en minimisant les pertes de commutation. Un régulateur de tension négative interne fournit également une polarisation de commande de grille négative sélectionnable par l’utilisateur offrant une immunité dV/dt accrue ainsi qu’une coupure plus rapide. Avec une plage de tension de fonctionnement (VDD - VSS) pouvant atteindre 35 V, cette commande offre une flexibilité et des performances exceptionnelles.
L’une des caractéristiques distinctives de l’IX4352NE est son régulateur de pompe de charge négative interne qui évite de recourir à une alimentation auxiliaire externe ou à un convertisseur CC/CC. Cette fonctionnalité est particulièrement appréciable pour la coupure des MOSFET SiC et permet de libérer la précieuse place généralement occupée par les circuits de décalage de niveau de la logique externe. La compatibilité de l’entrée logique avec les niveaux de logique TTL ou COMS standard accroît encore les gains de place potentiels.
L’IX4352NE convient parfaitement pour la commande des MOSFET SiC dans différentes applications industrielles, dont les suivantes :
Chargeurs embarqués et externes
Correction du facteur de puissance (PFC)
Convertisseurs CC/CC
Commandes de moteur
Onduleurs industriels.
Ses performances supérieures en font une solution idéale pour les applications d’électronique de puissance exigeantes sur les marchés des véhicules électriques, de l’industrie, des énergies alternatives, de la domotique et de l’automatisation des bâtiments.
Grâce à ses fonctionnalités complètes, l’IX4352NE simplifie la conception des circuits et offre un niveau d’intégration supérieur. Les fonctions de protection intégrées telles que la détection de la désaturation (DESAT) avec commande de collecteur à coupure douce, le verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) et la coupure thermique (TSD) garantissent la protection du dispositif d’alimentation et de la commande de grille. La sortie FAULT à drain ouvert intégrée signale toute défaillance au micro-contrôleur, ce qui accroît la sécurité et la fiabilité. En outre, l’IX4352NE permet de gagner une place précieuse sur les cartes de circuits imprimés et augmente la densité des circuits, contribuant ainsi à l’amélioration globale de l’efficacité du système.
Les améliorations notables apportées à la solution IX4351NE existante sont les suivantes :
Coupure douce sécurisée initiée par la fonction DESAT
Coupure thermique avec une précision de seuil élevée
Fonctionnement de la pompe de charge pendant la coupure thermique.
La nouvelle IX4352N est compatible broche-pour-broche, ce qui permet un remplacement direct sans soudure dans les conceptions utilisant l’IX4351NE existante de Littelfuse lancée en 2020.
« L’IX4352NE ajoute une nouvelle commande collecteur / source de 9 A à notre vaste gamme de commandes de grille Low Side, simplifiant ainsi les circuits de commande de grille nécessaires pour les MOSFET SiC », commente June Zhang, Product Manager au sein de la division Integrated Circuits (SBU) de Littelfuse. « Ses différentes fonctions de protection et sa pompe de charge intégrées offrent une tension de commande de grille négative ajustable permettant une immunité dV/dt accrue et une coupure plus rapide. En conséquence, elle peut être utilisée pour commander n’importe quel MOSFET SiC ou IGBT de puissance, qu’il s’agisse d’un dispositif Littelfuse ou de tout autre composant similaire disponible sur le marché. »
La commande de grille Low Side IX4352NE pour MOSFET SiC et IGBT est disponible sous forme de tubes de 50 unités chacun, ainsi que de bandes et de bobines de 2 000 unités chacune.
