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Micron est un leader du secteur des solutions de mémoire et de stockage innovantes permettant l’intelligence artificielle, l’apprentissage automatique (machine learning, ML) et les véhicules autonomes dans des segments de marché clés tels que l’edge computing, le centre de données, le réseau et le mobile.

Dans 5 Experts On Addressing The Hidden Challenges of Embedding Edge AI into End Products (5 experts sur les défis cachés de l’intégration de l’intelligence artificielle dans les produits finaux), des experts de l’industrie de l’IA explorent le traitement des données à la périphérie, là où les systèmes de données peuvent effectuer le traitement des données en temps réel et la prise de décision sans les problèmes de latence et de sécurité associés à la connectivité cloud. Les applications d’IA à l’edge sont extrêmement gourmandes en mémoire et nécessitent des solutions de mémoire hautes performances et à faible latence pour traiter les quantités massives de données impliquées dans l’inférence de l’IA. Ces exigences font progresser la technologie de la mémoire avec des solutions telles que la mémoire à large bande passante et à faible consommation d’énergie, qui sont au premier plan de l’importance dans l’écosystème de l’IA, passant d’un produit de base à un différentiateur clé dans les appareils et les applications compatibles avec l’IA.

Cet e-book examine l’importance de la mémoire dans les applications d’IA à l’edge, les considérations de conception associées au déploiement de l’IA en périphérie et les façons dont Mouser et Micron mènent la charge avec les solutions de mémoire les plus performantes et les plus denses de l’industrie :

La mémoire DRAM LPDDR5 de Micron est conçue pour répondre aux exigences des dernières architectures d’inférence de l’IA, offrant une augmentation de 50 % des vitesses d’accès aux données par rapport à la LPDDR4, et la LPDDR5X 1-bêta de pointe offre encore plus de performances, jusqu’à 9,6 Gbps. Tout cela pour augmenter l’efficacité et les expériences d’IA en périphérie.

La mémoire DRAM LPDDR4 de Micron est optimisée pour répondre aux problèmes de consommation d’énergie dans les applications fonctionnant sur batterie, offrant une bande passante de pointe 33 % plus rapide que la DDR4 pour les applications fonctionnant sur batterie et les ultra-portables.

La technologie NAND gérée e.MMC de Micron combine une interopérabilité d’application à application de grande capacité, offrant une prise en charge de la double tension et une endurance supérieure, idéale pour une large gamme d’applications grand public, de réseaux, industrielles et automobiles.

La Serial NOR Flash de Micron répond aux besoins de nombreuses applications dans les domaines de l’électronique grand public, de l’industrie, des communications filaires et du calcul, grâce à un boîtier, des broches, des jeux de commandes et une compatibilité avec les chipsets conformes aux normes de l’industrie, ce qui facilite la conception.

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