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Nouveaux produits

Les défis de l’alimentation de l’IA

Publication: 12 février

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Un nouvel e-book interactif de Mouser et Renesas Electronics...
 

Mouser Electronics Inc., le distributeur mondial agréé des composants électroniques et produits d’automatisation industrielle les plus récents, publie aujourd’hui un nouvel e-book interactif en collaboration avec Renesas Electronics. Ce document détaille comment les centres de données évoluent afin de satisfaire aux besoins énergétiques de l’intelligence artificielle (IA).

Les besoins en ressources de l’IA générative font exploser la consommation électrique des centres de données, qui pesait déjà lourdement sur le coût global d’exploitation. Plus que jamais, l’efficacité énergétique est un élément primordial de la gestion de l’énergie dans les centres de données. Le livre numérique Powering AI : High-Density Power Distribution in Modern Data Centers donne la parole à des experts du secteur de l’IA pour aborder divers sujets comme le passage à une distribution d’énergie à tension plus élevée ou encore expliquer comment les technologies d’alimentation numérique améliorent l’efficacité énergétique. Cet ouvrage interactif comprend également plusieurs vidéos explicatives. L’une expose comment augmenter la densité des serveurs grâce au refroidissement liquide, tandis qu’une autre se penche sur l’utilisation de transistors à effet de champ (MOSFET) en nitrure de gallium (FET GaN) et en métal-oxyde, plus efficaces dans les circuits d’alimentation en vue de concevoir des systèmes d’alimentation plus compacts et plus légers. Enfin, une infographie interactive détaille le flux d’énergie dans un centre de données type. Forte d’une longue expérience dans le domaine de la gestion d’énergie, Renesas propose un large éventail de produits et de solutions, dont beaucoup sont présentés dans l’e-book et disponibles chez Mouser. En voici un aperçu :

Les MOSFET de puissance Renesas REXFET-1 se présentent dans un boîtier ultra-compact sans broches qui favorise une meilleure gestion thermique ainsi que des performances et une fiabilité accrues. REXFET-1 est un procédé de fabrication de wafers qui permet de réduire la résistance à l’état passant de près de 30 % et les caractéristiques Qg de 10 % de façon à obtenir une meilleure efficacité.

Le module d’étage de puissance intelligent (SPS) ISL99390FRZ offre une précision de mesure du courant parmi les meilleures du marché, quelles que soient la tension, la charge ou la température. Associé à un contrôleur PWM (MLI) numérique de Renesas, il assure une gestion de puissance système très précise et une réponse transitoire parmi les meilleures du marché pour les régulateurs de tension linéaires. Il simplifie également la conception en éliminant les réseaux de détection DCR et les composants de compensation thermique habituellement nécessaires.

Le contrôleur PWM à 12 phases ISL68239 utilise le schéma propriétaire de modulation numérique du courant de Renesas pour offrir une combinaison optimale de réponse transitoire, de facilité de réglage et de rendement sur toute la plage de charges. Les développeurs peuvent en outre compter sur le logiciel intuitif Renesas PowerNavigator™ pour configurer et surveiller le contrôleur en toute simplicité.

Le FET SuperGaN® TP65H015G5WS associe un HEMT GaN haute tension de dernière génération à un MOSFET silicium basse tension pour une fiabilité renforcée et des performances accrues. Il s’appuie sur une épitaxie avancée et sur des technologies de conception brevetées pour simplifier le processus de fabrication. Il offre aussi un meilleur rendement par rapport au silicium, grâce à une charge de grille réduite, une capacité de sortie plus faible, des pertes de croisement limitées et l’absence de charge de recouvrement inverse.associe un HEMT GaN haute tension de dernière génération à un MOSFET silicium basse tension pour une fiabilité renforcée et des performances accrues. Il s’appuie sur une épitaxie avancée et sur des technologies de conception brevetées pour simplifier le processus de fabrication. Il offre aussi un meilleur rendement par rapport au silicium, grâce à une charge de grille réduite, une capacité de sortie plus faible, des pertes de croisement limitées et l’absence de charge de recouvrement inverse.

Pour lire ce nouvel e-book interactif, rendez-vous sur https://eu.mouser.com/renesas-power...

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