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Cette nouvelle série utilise la technologie de fabrication de plaquettes de GaAs exclusive à l’entreprise et est conçue pour permettre une rectification hautement efficace dans les systèmes WPT en combinant une faible tension directe avec une tension de tenue en courant continu élevée, ce qui permet d’améliorer le rendement de conversion sur une large plage dynamique.

La technologie WPT à micro-ondes est de plus en plus reconnue comme un catalyseur essentiel pour l’infrastructure d’alimentation électrique de nouvelle génération. Avec l’expansion rapide de la transformation numérique et le nombre croissant d’appareils IoT, la demande en sources d’alimentation continues et sans entretien pour l’électronique distribuée ne cesse d’augmenter. Dans les environnements industriels, les systèmes logistiques, les infrastructures sociales, l’agriculture et les établissements de santé, l’alimentation électrique des appareils dans des endroits où le câblage est impraticable ou le remplacement des batteries difficile représente un défi de taille. Alors que les cadres réglementaires relatifs à l’utilisation des fréquences micro-ondes continuent d’évoluer à l’échelle mondiale, les efforts s’accélèrent pour faire passer le transfert d’énergie sans fil du stade des déploiements expérimentaux à celui de la mise en œuvre concrète.

L’un des principaux défis techniques des systèmes WPT à micro-ondes pratiques réside dans l’efficacité avec laquelle l’énergie micro-ondes reçue peut être convertie en courant continu utilisable. Cette exigence est particulièrement critique pour les applications IoT fonctionnant dans des environnements à faible consommation d’énergie. Cette série relève ce défi en offrant une tension directe typique de 0,1 V, ce qui permet aux circuits redresseurs d’atteindre une conversion en courant continu efficace même avec une puissance d’entrée limitée. Parallèlement, ces dispositifs offrent une tension de tenue en courant continu élevée afin de maintenir un fonctionnement stable lorsque la puissance d’entrée augmente, ce qui contribue à limiter les pannes des dispositifs et à réduire le courant de fuite pendant le redressement.

Les modèles NT9000 et NT9001 sont optimisés pour les circuits redresseurs de la classe de puissance 1 W, tandis que les modèles NT9002 et NT9003 sont conçus pour les circuits redresseurs de la classe 1 mW. Cette différenciation permet aux concepteurs de sélectionner le dispositif le plus adapté en fonction de la plage de puissance de fonctionnement prévue et des exigences de l’application. Tous les dispositifs de la série fonctionnent sur des bandes de fréquences largement utilisées pour la transmission d’énergie sans fil, notamment 920 MHz, 2,4 GHz et 5,7 GHz. Les diodes présentent également un faible courant de fuite inverse et une faible capacité, ce qui contribue à des performances de redressement haute fréquence stables. Ces propriétés électriques aident les concepteurs à obtenir une conversion RF-CC efficace dans les circuits redresseurs et les détecteurs utilisés dans les récepteurs WPT. Au-delà des circuits de récepteurs WPT, ces diodes discrètes peuvent également être utilisées dans d’autres applications de circuits RF nécessitant une rectification ou une détection efficace aux fréquences micro-ondes. Nisshinbo Micro Devices continue de soutenir les concepteurs de systèmes en fournissant des ressources de conception telles que des modèles SPICE et des notes d’application afin de faciliter le développement de circuits redresseurs utilisant ces composants.

La série est logée dans un boîtier DFN1212-4-HD compact mesurant seulement 1,2 × 1,2 mm, intégrant deux diodes dans un seul boîtier. Ce faible encombrement réduit la surface de montage requise sur le circuit imprimé et permet des implémentations de circuits à haute densité. La conception du boîtier simplifie également les configurations des circuits redresseurs, en particulier dans les redresseurs à plusieurs étages ou les topologies en pont où plusieurs diodes sont nécessaires.

 Specifications NT9000 / NT9001 / NT9002 / NT9003 :
 Frequency Band : 920 MHz, 2.4 GHz, 5.7 GHz
 High Reverse Voltage : 20 V
 Applications : 1 W / 1 W / 1 mW / 1 mW Class Rectifier
 Low Forward Voltage : 0.1 V typ. @ IF = 60 µA / IF = 120 µA / IF = 2 µA / IF = 4 µA
 Low Reverse Leakage Current : 10 µA / 20 µA / 0.5 µA / 1 µA @ VR = 2 V
 Low Series Resistance : 4 Ω typ. / 2 Ω typ. / 110 Ω typ. / 55 Ω typ.
 Low Total Capacitance : 0.2 pF typ. / 0.4 pF typ. / 0.025 pF typ. / 0.03 pF typ.
 RoHS compliant, Halogen free, MSL1
 Package NT900xHD : DFN1212-4-HD (1.2 × 1.2 x 0.427 mm)
 Datasheet : NT9000, NT9001, NT9002, NT9003