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La gamme U-MOS11-H offre de faibles pertes et une capacité de courant de drain élevée dans un boîtier compact de 4,9 × 6,1 mm

Düsseldorf, Allemagne, le 30 juin 2026 – Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé le TPM1R408RH, un MOSFET de puissance canal N de 80 V basé sur sa toute dernière technologie de fabrication U-MOS11-H. Conçu pour les alimentations à découpage industrielles à haut rendement destinées aux centres de données et aux stations de base de communication, ce nouveau composant allie une résistance à l’état passant (RDS(ON)) ultra-faible à une commutation rapide, permettant ainsi aux concepteurs d’améliorer l’efficacité des systèmes et de réduire les pertes de puissance.

Comparé au TPM1R908QM, un produit 80 V utilisant le procédé U-MOS X-H de génération précédente, le TPM1R408RH atteint une RDS(ON) inférieure d’environ 26 %, soit 1,4 mΩ (max.) à une tension grille-source (VGS) de 10 V et un courant de drain (ID) de 50 A, contribuant ainsi à minimiser les pertes par conduction dans les applications de puissance exigeantes.

Pour améliorer encore l’efficacité, ce nouveau MOSFET optimise le compromis entre la RDS(ON) et la charge totale de grille (Qg), atteignant 80 nC. Le facteur de mérite (FOM) [RDS(ON) × Qg] est environ 45 % inférieur (1,4 mΩ × 80 nC = 112 mΩ·nC) à celui du TPM1R908QM (1,9 mΩ × 108 nC = 205,2 mΩ·nC). Ces caractéristiques réduisent les pertes de commutation et suppriment les pics de tension générés entre le drain et la source lors de la commutation, contribuant ainsi à réduire les interférences électromagnétiques (EMI) et à permettre une commutation à haute vitesse dans les alimentations à découpage (SMPS).

Le TPM1R408RH supporte une tension drain-source de 80 V et un courant de drain maximal (ID) de 288 A (Tc = 25 °C), ce qui le rend adapté aux applications industrielles à courant élevé. Ce composant est logé dans le boîtier compact SOP Advance(E) de Toshiba, qui réduit la résistance du boîtier d’environ 65 % et la résistance thermique d’environ 15 % par rapport au boîtier SOP Advance(N) existant, favorisant ainsi la conception de systèmes compacts.

Toshiba propose également des outils d’aide à la conception de circuits pour alimentations à découpage. Outre le modèle G0 SPICE, qui permet une vérification rapide du fonctionnement des circuits, des modèles G2 SPICE de haute précision, reproduisant les caractéristiques transitoires, sont désormais disponibles.

Toshiba continuera d’enrichir sa gamme de MOSFET de puissance qui améliorent l’efficacité des alimentations et contribuent ainsi à réduire la consommation d’énergie des équipements.