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La mémoire flash 3D QLC de 10 ? génération représente une avancée majeure pour les architectures de stockage dédiées à l’IA, les plateformes cloud et les innovations gourmandes en données

KIOXIA Europe GmbH, a annoncé que KIOXIA Corporation, filiale de KIOXIA Holdings Corporation (TOKYO : 285A), et Sandisk Corporation (Nasdaq : SNDK) ont dévoilé leur technologie de mémoire flash 3D QLC (Quad-Level Cell, cellule à quatre niveaux) de nouvelle génération, offrant une augmentation de la densité de bits pouvant atteindre 60 % par rapport à leur technologie de 8 ? génération. Avec une densité dépassant 37 Gb/mm², cette technologie établit une nouvelle référence dans le secteur[1] en matière de densité de bits, de performances et d’efficacité énergétique.

S’appuyant sur la technologie révolutionnaire CBA (CMOS directement connecté à la matrice) des deux entreprises[2], qui consiste à fabriquer la logique CMOS et la matrice mémoire sur des wafers distincts avant de les assembler avec un alignement wafer à wafer de haute précision, cette nouvelle génération améliore la bande passante en lecture et en écriture par rapport à la mémoire flash 3D de 8 ? génération et devient également la première technologie de mémoire flash 3D QLC du secteur à atteindre une interface de 4,8 Gb/s[3].

Des améliorations supplémentaires apportées à l’interface renforcent l’efficacité énergétique du transfert des données en sortie d’E/S. Ces importantes améliorations en matière d’efficacité énergétique répondent directement aux défis liés à la consommation d’énergie et au refroidissement des infrastructures modernes d’IA et de cloud.

« Alors que l’IA s’intègre de plus en plus dans tous les aspects de la société, ses applications évoluent au-delà de l’IA générative pour s’étendre aux systèmes agentiques et physiques, créant de nouveaux besoins en matière de stockage et de gestion des données », a déclaré Axel Störmann, vice-président et directeur technique de KIOXIA Europe GmbH.

« La mémoire flash 3D QLC de 10 ? génération de KIOXIA jouera un rôle essentiel pour répondre à la croissance rapide des volumes de données, en offrant une efficacité de stockage, une capacité et une évolutivité accrues pour les infrastructures d’IA de nouvelle génération. »

Alper Ilkbahar, directeur technique de Sandisk, a déclaré : « Alors que les charges de travail liées à l’entraînement et à l’inférence de l’IA, ainsi qu’aux centres de données hyperscale, entraînent une croissance sans précédent de la génération de données, le secteur du stockage est soumis à une pression croissante pour offrir des capacités accrues, des performances supérieures et une meilleure efficacité énergétique. En redéfinissant les standards de performances et d’efficacité de la NAND QLC, notre mémoire flash 3D QLC de 10 ? génération combine des avancées majeures en matière de densité, de bande passante et d’efficacité énergétique, ouvrant la voie à une nouvelle approche du stockage flash haute capacité et offrant une base évolutive pour les applications d’infrastructure de nouvelle génération. »

Principales caractéristiques de la technologie de mémoire flash 3D QLC de 10eme génération :

 Grâce à une architecture à 332 couches et à une conception optimisée de l’agencement des cellules, cette technologie offre une augmentation de la densité de bits pouvant atteindre 60 %, avec une densité supérieure à 37 Gb/mm² par rapport à la 8e génération.
 L’interface NAND à 4,8 Gb/s[3], rendue possible par Toggle DDR6.0 et le protocole Separate Command Address (SCA), libère tout le potentiel d’une interface rapide.
 L’architecture CMOS directement connecté à la matrice (CBA) améliore la mise à l’échelle de la densité, les performances et l’efficacité de la fabrication.
 La technologie Power-Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT) améliore l’efficacité énergétique du transfert des données en sortie d’E/S.