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Les nouveaux dispositifs G3VH de 1 800 et 3 300 V ouvrent la voie à une électrification plus efficace et plus légère

Hoofddorp, Pays-Bas, le 1 juillet 2026 - OMRON Electronic Components Europe a lancé ses nouveaux relais G3VH à MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrant des tensions nominales de 3 300 et 1 800 V. Ces relais apportent les avantages de la commutation de puissance à semi-conducteurs à des tensions de bus et de batterie pouvant atteindre, voire dépasser, 1 000 V.

Grâce à leurs tensions nominales élevées, ces relais garantissent une commutation robuste et fiable. Les concepteurs de systèmes peuvent ainsi opter pour des tensions plus élevées pour maximiser l’efficacité énergétique et tirer parti de câbles et de connexions plus petits et plus légers. Capables de fonctionner au-delà des limites de tension maximales habituelles des relais classiques à base de silicium, les nouveaux dispositifs G3VH offrent également une durée de vie plus longue et un encombrement réduit par rapport aux relais Reed traditionnels. Ils sont principalement utilisés dans les variateurs industriels et l’automatisation, les générateurs d’énergie solaire et éolienne, les systèmes de stockage d’énergie (ESS) pour la détection des défauts à la terre, ainsi que les équipements de test automatisés (ATE) destinés aux semi-conducteurs de puissance haute tension à large gap (WBG).

Intégrant des MOSFET en carbure de silicium (SiC) montés tête-bêche et pilotés par un circuit de commande de grille optiquement isolé, ces relais supportent aisément des tensions de fonctionnement élevées dans un boîtier compact DIP-6 (Dual In-line Package) à 6 broches. Grâce à leurs faibles capacités internes intrinsèques, qui assurent une commutation propre et efficace à des vitesses élevées, ces relais présentent un temps d’activation de 1 ou 2 ms et peuvent être désactivés en seulement 0,2 ms.

Ces performances permettent aux dispositifs de la série G3VH de répondre rapidement aux commandes de sécurité du système tout en réduisant la durée des cycles de test dans les applications ATE. La forte immunité intrinsèque du SiC aux variations rapides de tension (dV/dt) garantit une commutation stable, même dans des conditions difficiles. Par ailleurs, les MOSFET résistent à des températures de fonctionnement élevées, ainsi qu’aux contraintes thermiques, ce qui garantit de longs cycles de commutation dans tous les environnements.

La nouvelle gamme comprend deux séries : la série G3VH-331 est spécifiée pour une tension de 3 300 V, un courant de charge continu de 300 mA et un courant impulsionnel d’enclenchement (Iop) de 900 mA, avec une résistance totale de 3,5 Ω entre les bornes. La série G3VH-181, quant à elle, est spécifiée pour 1 800 V et peut supporter un courant continu maximal de 30 mA, ainsi qu’un courant impulsionnel de 80 mA pour une résistance de 120 Ω.

Tous les nouveaux dispositifs G3VH sont de type 1a (SPST, normalement ouvert) et sont dès à présent disponibles en production, dans des versions pour montage en surface ou traversant.