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Les nouveaux modules en carbure de silicium fournissent les performances thermiques et l’efficacité nécessaires aux SST pour augmenter la puissance disponible pour les traitements d’IA générative

Microchip Technology (Nasdaq : MCHP) annonce ce jour la mise à disposition de ses nouveaux modules d’alimentation mSiC® HV-D3 3,3 kV, conçus pour simplifier et accélérer l’adoption des transformateurs à semi-conducteurs (SST) dans les centres de données IA à très grande échelle ainsi que par d’autres applications haute tension. Ces nouveaux modules intègrent des MOSFET mSiC® en carbure de silicium (SiC) 3,3 kV et des diodes de Schottky dans un boîtier standard de 62 mm. Ils permettent la fourniture d’énergie efficace depuis le réseau moyenne tension directement vers le rack de serveurs.

À mesure que les centres de données IA continuent de croître, le débit d’inférence est limité par la puissance disponible, tandis que l’efficacité constitue un facteur décisif pour le retour sur investissement. Les architectures traditionnelles basées sur de gros transformateurs à basse fréquence ajoutent de la complexité, augmentent les pertes et limitent la flexibilité. Les transformateurs à semi-conducteurs (SST, Solid-State Transformers) représentent une avancée majeure pour la distribution d’énergie, car ils réduisent le nombre d’étages de conversion et améliorent l’efficacité globale du système. Le passage de l’industrie à la distribution en racks DC à plus haute tension au sein des centres IA de nouvelle génération augmente la valeur des SST, qui sont normalement utilisés pour fournir une tension DC régulée directement à partir du réseau moyenne tension, avec moins d’étages de conversion.

Les modules mSiC HV-D3 de Microchip sont spécialement conçus pour répondre à ces exigences. Ils utilisent la technologie MOSFET mSiC de Microchip, qui offre une excellente stabilité en température de la résistance drain-source à l’état passant (RDS(on)), dans un boîtier offrant une isolation de 6 kV, intégrant des matériaux CTI 600 et possède des distances de fuite étendues, conçues pour permettre des connexions en série sûres pour une tension de fonctionnement élevée. Le substrat en nitrure de silicium (Si₃N₄) permet une conductivité thermique améliorée et une meilleure tenue aux cycles de puissance, ce qui aide les développeurs à atteindre une densité de puissance plus élevée avec des besoins de refroidissement réduits.

« À mesure que les centres de données IA continuent à repousser les limites de la fourniture d’énergie à partir du réseau électrique vers le GPU, les transformateurs à semi-conducteurs deviennent de plus en plus nécessaires », explique Clayton Pillion, vice-président du département des solutions haute puissance chez Microchip. « Nos modules d’alimentation mSiC HV-D3 3,3 kV permettent aux concepteurs de réduire le nombre de composants connectés en série environ de moitié par rapport aux alternatives SiC à plus faible tension en se connectant à des réseaux 13,8 kV ou 34,5 kV. Les composants viennent également combler un manque important du marché industriel dans la gamme des produits 100-300 A, et viennent s’intercaler entre les composants SiC discrets et les modules d’alimentation beaucoup plus gros. »

Les modules d’alimentation mSiC HV-D3 sont disponibles en topologies demi-pont et à source commune, avec ou sans diodes de Schottky antiparallèles, idéaux pour les applications avec une plage de 100 à 300 A. La technologie MOSFET mSiC de Microchip offre des pertes de commutation équilibrées pour les topologies à commutation dure ou douce, ce qui rend ces composants parfaits pour les systèmes SST et les autres systèmes à haute fréquence et haute tension.

Bien qu’optimisés pour les transformateurs à semi-conducteurs dans les centres de données IA, les modules d’alimentation mSiC HV-D3 conviennent aussi à un large éventail d’autres applications : infrastructures de recharge ultra-haute puissance pour véhicules lourds, alimentations de secours pour le ferroviaire et les transports lourds, entraînements moyenne tension, systèmes d’alimentation industriels et militaires. Ces marchés tirent profit de la même combinaison d’améliorations : isolation, robustesse thermique et conversion d’énergie efficace.

Avec plus de 20 ans d’expérience dans le développement, la conception, la fabrication et le support technique des composants et solutions d’alimentation SiC, Microchip aide les clients à adopter les SiC avec simplicité, rapidité et confiance. Les produits et solutions mSiC de l’entreprise sont conçus pour diminuer les coûts système, accélérer les délais de commercialisation et limiter les risques. Microchip offre un portefeuille vaste et flexible de diodes SiC, MOSFET et pilotes de grilles. Pour de plus amples informations, rendez-vous sur :www.microchip.com/sic.

Outils de développement

Les modules d’alimentation 3,3 kV bénéficient d’une note d’application, d’un guide de conception, de modélisations d’objets et simulations pour un prototypage rapide. De plus, Microchip met à la disposition de ses clients un support technique mondial, des services d’aide à la conception et l’accès à des ingénieurs d’application.

Tarifs et disponibilité

Les modules d’alimentation mSiC sont disponibles à l’achat en volume de production. Vous pouvez acheter ces produits directement auprès de Microchip ou contacter un revendeur Microchip ou un distributeur agréé n’importe où dans le monde.