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Permet un montage compact et à haute densité, ainsi qu’une meilleure dissipation thermique, ce qui réduit l’encombrement des équipements automobiles et améliore l’efficacité du système

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lance le XPJ1R504PB, un MOSFET de puissance à canal N de 40 V, 120 A conforme à la norme automobile (AEC-Q101), logé dans un boîtier S-TOGL™, élargissant sa gamme pour les systèmes 12 V. Les applications visées incluent les onduleurs, les relais semi-conducteurs, les commutateurs de charge et les variateurs de vitesse. En ajoutant ce MOSFET de 40 V à sa gamme existante en boîtier S-TOGL™, qui comprend les modèles XPJR6604PB et XPJ1R004PB, Toshiba élargit son offre de produits pour répondre à un large éventail d’applications et d’exigences de performance.

Ces dernières années, avec les progrès de l’électrification des équipements automobiles, l’adoption des variateurs et des pilotes pour moteurs s’est généralisée, entraînant une augmentation de la puissance et du rendement. Pour répondre à ces tendances, les MOSFET doivent offrir à la fois de faibles pertes de puissance et une dissipation thermique élevée. Le XPJ1R504PB, doté du boîtier S-TOGL, permet un montage compact et à haute densité ainsi que d’excellentes performances thermiques, ce qui réduit ainsi la taille des équipements automobiles et améliore leur efficacité.

Étant donné que ces types d’équipements automobiles fonctionnent dans une large plage de températures, la fiabilité des joints de soudure est essentielle. Le boîtier S-TOGL utilise des broches en aile de mouette qui contribuent à réduire les contraintes de montage, améliorant ainsi la fiabilité mécanique des connexions soudées. De plus, le boîtier présente une structure sans plots intégrant la connexion source-électrode et les conducteurs externes de la puce, réduisant ainsi la résistance parasite et permettant une résistance à l’état passant (RDS(ON)) de 1,54 mÙ (max.) pour une tension grille-source (VGS) de 10 V.

L’utilisation d’un cadre en cuivre épais dans le boîtier S-TOGL permet de réduire l’impédance thermique transitoire entre le canal et le boîtier (Zth(ch-c)) à 0,76 °C/W, ce qui diminue les pertes par conduction et limite la génération de chaleur, améliorant ainsi l’efficacité globale du système. De plus, une structure à broches multiples pour les conducteurs de source améliore la distribution du courant, permettant de supporter des courants élevés.

Toshiba continuera de développer des MOSFET automobiles adaptés à diverses applications et exigences système, contribuant ainsi à une efficacité accrue.