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Innoscience Technology, la société fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions d’alimentation à haute performance et à faible coût au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), démontrera sa position de leader dans le marché du GaN, comme l’a récemment rapporté Yole Group, lors de la prochaine conférence et exposition PCIM (Nuremberg, 11-13 juin). La société participera à ce salon d’envergure avec une gamme complète d’activités et de solutions basées sur la technologie GaN.

Le jeudi 13 juin à 10h00, le Dr Denis Marcon, directeur général Europe d’Innoscience, s’adressera au public de la Tech Stage (Hall 7-743), pour expliquer la façon dont les dispositifs GaN révolutionnent le secteur des semi-conducteurs de puissance. L’exposé du Dr Marcon, intitulé « Les HEMT de puissance GaN : fiables, compétitifs en termes de prix et prêts à améliorer les solutions de conversion de puissance », détruira les mythes concernant le prix et la fiabilité du GaN ; il montrera aussi comment tirer parti des dispositifs d’alimentation GaN pour rendre les systèmes de gestion d’énergie plus petits, plus efficaces et moins chers. Il montrera comment les économies d’échelle qu’offrent les plaques de 8 pouces d’Innoscience peuvent fournir des dispositifs d’alimentation GaN à prix compétitifs.

Innoscience présentera sur le stand 7-121sa gamme couvrant les dispositifs d’alimentation GaN de 30 V à 700 V, y compris les dispositifs discrets (InnoGaN), intégrés avec pilote et protection (SolidGaN) et bidirectionnels (V-GaN), ainsi que la pilote de grille GaN.

Le kiosque d’Innoscience présentera également plusieurs démonstrations qui dévoileront les avancées rendues possibles par la technologie GaN, rendant les solutions de conversion et de gestion de l’énergie « plus rapides, plus petites et plus légères, plus écologiques/plus efficaces et moins chères ».

Les démos comprendront :

 Pilote LED GaN de 200 W, 50 % plus petit et plus fin que son homologue en silicium

 Convertisseur de puissance AC-DC All GaN 140W-200W doté d’InnoGaN au primaire et au secondaire

 Onduleur 1kW pour moteurs BLDC

 PSU de 4,2 kW 50 % plus petit et plus efficace (80+ Titanium) que son homologue en silicium

 Micro-onduleur solaire photovoltaïque l 2kW

 Alimentation TV ultra haute densité 300 W

 Convertisseur DC-DC bidirectionnel de 2,4 kW

 Convertisseur DC-DC 1kW 48V-12V à haute densité de puissance (70% plus petit qu’en silicium)

 InnoGaN pour vélos électriques avec chargeur compact de 240 W et pilote de moteur triphasé

Denis Marcon, directeur général Europe d’Innoscience, a déclaré : « PCIM est une opportunité exceptionnelle pour Innoscience d’expliquer pourquoi nos dispositifs GaN hautes performances sont comparables en prix à ceux des meilleurs MOSFET au silicium, et qu’ils sont par ailleurs robustes et fiables. Nous disposons d’une très large gamme de produits couvrant les applications de 30 V à 700 V, et ils sont disponibles dans plusieurs formats allant des solutions discrètes aux solutions intégrées. Venez voir par vous-même ! »

https://www.innoscience.com/