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KIOXIA Europe GmbH, a annoncé aujourd’hui avoir commencé l’échantillonnage de nouveaux dispositifs de mémoire embarquée Universal Flash Storage(2) (UFS) version 4.1, renforçant ainsi sa pole position dans le domaine du stockage haute performance. Conçus pour répondre aux exigences des applications mobiles de nouvelle génération, notamment les smartphones avancés avec IA embarquée, ces nouveaux dispositifs offrent des performances améliorées avec une meilleure efficacité énergétique(3), dans un boîtier BGA compact.

Les dispositifs UFS version 4.1 de KIOXIA intègrent la mémoire flash 3D innovante BiCS FLASH™ de la société, ainsi qu’un contrôleur dans un boîtier conforme à la norme JEDEC®. Ces nouveaux dispositifs UFS sont fabriqués avec la mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA(1).

Cette génération introduit la technologie CBA (CMOS directement liée à la matrice) — une innovation architecturale qui représente une avancée majeure dans la conception des mémoires flash. En reliant directement les circuits CMOS à la matrice mémoire, la technologie CBA permet des gains majeurs en efficacité énergétique, performance et densité.

Alliant rapidité et faible consommation d’énergie, les dispositifs KIOXIA UFS Ver. 4.1 sont conçus pour améliorer l’expérience utilisateur — offrant des téléchargements plus rapides et une exécution plus fluide des applications.

Les principales fonctionnalités incluent :

 Disponibles en capacités de 256, 512 gigaoctets (Go) et 1 téraoctet (To)

 Amélioration des performances par rapport à la génération précédente(3) :

 Écritures aléatoires : 512 Go/1 To environ +30 %

 Lectures aléatoires : 512 Go environ +45 %, 1 To environ +35 %

 Amélioration de l’efficacité énergétique par rapport à la génération précédente(3) :

 Lectures : 512 Go/1 To environ +15 % d’amélioration

 Écritures : 512 Go/1 To environ +20 % d’amélioration

 La défragmentation initiée par l’hôte permet une collecte des déchets différée, assurant des performances rapides ininterrompues pendant les périodes critiques.

 Le redimensionnement du tampon WriteBooster offre une meilleure flexibilité pour des performances optimales.

 Compatible avec la norme UFS version 4.1 standard

 Hauteur du boîtier réduite pour le modèle 1 To par rapport à la génération précédente(4)

 Utilise la mémoire flash 3D BiCS FLASH™ de 8e génération de KIOXIA

« Les nouveaux dispositifs mémoire embarqués UFS version 4.1 de KIOXIA représentent une avancée significative, renforçant le leadership de KIOXIA dans le domaine du stockage haute performance, ainsi que son engagement à mener l’innovation dans le stockage flash », déclare Axel Störmann, Vice-président et directeur technique des produits mémoire et SSD chez KIOXIA Europe GmbH.

« Conçus avec la mémoire BiCS FLASH™ de 8eme génération et la technologie CBA, ces dispositifs répondent aux exigences des futures applications mobiles de nouvelle génération, y compris l’IA embarquée, marquant un progrès significatif par rapport aux générations précédentes. »