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Ces composants offrent une faible résistance à l’état passant, ce qui permet de réduire la consommation d’énergie dans les systèmes 48 V, tandis que leur boîtier à flancs mouillables facilite l’inspection optique automatisée (AOI) pour une fiabilité de production accrue

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lance deux MOSFET canal N de 80 V conformes à la norme AEC-Q101, élargissant ainsi sa gamme de produits destinés aux systèmes automobiles de 48 V. Les modèles XPH2R608QB et XPH3R908QB sont les premiers produits issus du procédé U-MOSX-H de dernière génération à être encapsulés dans un boîtier SOP Advance (WF) à flancs mouillables.

Grâce au procédé U-MOSX-H de Toshiba, ces composants présentent une faible résistance à l’état passant (RDS(ON)), ce qui permet aux concepteurs d’optimiser le rendement de leurs systèmes 48 V, améliorant ainsi les performances et prolongeant la durée de vie de la batterie du véhicule. La résistance RDS(ON) du XPH2R608QB est de 2,55 mÙ (max.) avec une charge de grille totale (Qg) de 95 nC (typ.). Pour le XPH3R908QB, la valeur de RDS(ON) passe ¨¤ 3,9 m (max.) pour une charge Qg de 63 nC (typ.). Ces caractéristiques pour les deux composants correspondent à une tension grille-source (VGS) de 10 V (max.).

De plus, le boîtier SOP WF doté d’une structure de connexion en cuivre réduit la résistance du boîtier MOSFET, ce qui améliore le rendement, optimise la dissipation thermique et renforce la fiabilité du système. La conception à flancs mouillables du boîtier accroît la visibilité des cordons de soudure, ce qui facilite la vérification des conditions de montage sur la carte à l’aide d’un système d’inspection optique automatisée (automated optical inspection, AOI) et renforce ainsi la fiabilité globale du système.

Les XPH2R608QB et XPH3R908QB sont adaptés à une utilisation dans les circuits de commande des moteurs DC sans balais (BLDC) de type N et dans les convertisseurs abaisseurs DC-DC non isolés. En plus des systèmes automobiles 28 V, d’autres applications comprennent les variateurs de vitesse, les alimentations à découpage et les commutateurs de charge. La gamme automobile U-MOSX-H 80 V inclut également le XPQR8308QB, qui est doté d’un boîtier L-TOGL à haute dissipation thermique. Toshiba continuera de développer des MOSFET automobiles adaptés aux systèmes 48 V afin de répondre aux divers besoins de ses clients et de prendre en charge de nombreuses applications automobiles.