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UMC franchit un cap majeur avec sa plateforme FinFET eHV 14 nm, réduisant la surface de 35 % et la consommation de 40 % par rapport au 22 nm.

Le fondeur taïwanais United Microelectronics Corporation (UMC) vient d’annoncer le lancement officiel de sa plateforme technologique 14 nm eHV (Embedded High Voltage) FinFET. Ce procédé, particulièrement attendu par l’écosystème EMS et les concepteurs de puces, vise à transformer le marché des circuits intégrés de pilotage d’affichage (DDIC) pour les smartphones haut de gamme.

En remplaçant les transistors planaires traditionnels de la circuiterie numérique par des structures FinFET en trois dimensions, UMC réussit une double prouesse technique. La nouvelle plateforme permet d’obtenir une réduction drastique de la consommation d’énergie, mesurée jusqu’à 40 %, tout en économisant près de 35 % de surface de silicium sur la puce par rapport à la génération précédente en 22 nm.

Pour les fabricants de sous-ensembles électroniques, cette avancée permet l’intégration de modules d’affichage beaucoup plus fins et économes, prolongeant de fait l’autonomie des batteries. L’optimisation des blocs d’entrées-sorties (I/O) et l’accélération de la vitesse de commutation des transistors garantissent une intégrité de signal robuste.

Cette performance est cruciale pour soutenir les taux de rafraîchissement élevés exigés par les écrans de dernière génération. UMC collabore déjà activement avec plusieurs clients leaders du marché pour qualifier cette technologie, ouvrant la voie à une production de masse à court terme.

Source : UMC