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Microchip Technology lance des modules en carbure de silicium de 3,3 kV pour simplifier le raccordement moyenne tension des centres de données d’intelligence artificielle.

Pour simplifier le développement des convertisseurs de puissance dans les centres de données d’intelligence artificielle, Microchip Technology a lancé ses nouveaux modules de puissance HV-D3 mSiC de 3,3 kV. Conçus pour faciliter l’adoption de transformateurs à l’état solide raccordés au réseau moyenne tension, ces nouveaux composants associent des MOSFET en carbure de silicium et des diodes de barrière Schottky dans un boîtier standard de 62 mm. Cette architecture performante rationalise la distribution de courant continu à haute tension directement jusqu’au rack des serveurs de calcul.

En éliminant plusieurs étapes de conversion intermédiaires, les concepteurs peuvent réduire de moitié le nombre de composants montés en série par rapport aux solutions classiques à plus basse tension. Ces modules se caractérisent par une stabilité thermique remarquable de leur résistance à l’état passant et proposent une tension d’isolement de 6 kV. De plus, l’utilisation de matériaux certifiés CTI 600 prévient les risques d’arcs électriques lors des configurations en série. En dehors des infrastructures d’intelligence artificielle, ces modules robustes ciblent les chargeurs de forte puissance des véhicules électriques lourds, les réseaux ferroviaires et les variateurs industriels.

Cette technologie garantit aux intégrateurs et sous-traitants un gain d’espace précieux et un rendement de conversion énergétique maximal dans le temps.