Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Infineon Technologies AG a annoncé à Munich, le 2 juin 2026, l’extension de sa famille CoolSiC JFET pour répondre à la montée en puissance des data centers IA et des protections statiques de puissance. Le point clé pour les concepteurs est double : les premiers JFET SiC 750 V et 1200 V en Q-DPAK passent en production de masse, tandis qu’un JFET CoolSiC 1200 V arrive aussi en TO-247-4, avec un RDS(on) annoncé dès 5,0 mΩ. Pour les EMS et fabricants d’équipements industriels, ce format traversant facilite le remplacement dans des designs SiC MOSFET existants sans refonte majeure de PCB.

Infineon ajoute également des versions normally-off combinant un JFET SiC et un MOSFET basse tension OptiMOS, en configurations Dual Drive ou Cascode. Les cas d’usage visés couvrent les solid-state circuit breakers, les relais, les déconnexions batterie, les blocs PSU/PBU et les eFuse d’intermediate bus converters.

La technologie d’interconnexion .XT avec brasage par diffusion cible la robustesse thermique sous surcharge et cycles répétés. Présentation prévue à PCIM Europe 2026, hall 7, stand 470.

Sources : Infineon