Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Ce double MOSFET à canal N et canal P, en boîtier TSOP6F compact, offre une résistance à l’état passant faible et bien équilibrée, ce qui simplifie la conception des circuits

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lance le SSM6L826R, un nouveau MOSFET double 30 V intégrant des MOSFET à canal N et à canal P dans un seul boîtier. Ce produit est idéal pour des applications telles que la commande de moteurs monophasés sans balais (brushless DC, BLDC), la commande de moteurs à courant continu à balais et la commutation de charges pour les lignes d’alimentation des équipements de commande grand public et industriels.

Le SSM6L826R utilise le procédé UMOSVIIH de Toshiba pour le MOSFET à canal N et le procédé UMOSVI pour le MOSFET à canal P. Il est logé dans un boîtier TSOP6F compact (2,9 mm × 2,8 mm × 0,8 mm) avec des broches plates pour faciliter le montage.

Le dispositif atteint de faibles valeurs de résistance drain-source à l’état passant (RDS(ON)) de 46 mÙ (max.) (VGS = 10 V) pour le MOSFET ¨¤ canal N et de 45 m¦¸ (max.) (VGS = -10 V) pour le MOSFET à canal P. Comme les valeurs de RDS(ON) sont quasiment identiques, les pertes par conduction restent bien équilibrées, ce qui simplifie le développement des circuits. De plus, l’intégration des deux types de MOSFET dans un seul boîtier permet de réduire la surface du circuit imprimé, le nombre de composants et le coût de la nomenclature.

Avec le lancement du SSM6L826R, Toshiba élargit sa gamme de MOSFET doubles TSOP6F en y intégrant trois MOSFET doubles à canal N, un MOSFET double à canal P et deux MOSFET complémentaires (N+P), offrant ainsi aux ingénieurs une plus grande flexibilité pour choisir le composant le mieux adapté à leurs conceptions.

Toshiba continuera d’élargir sa gamme de MOSFET afin de répondre à la demande croissante d’une efficacité accrue, de pertes réduites et d’une miniaturisation accrue des équipements, tant sur le marché grand public qu’industriel.