Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Mouser propose désormais les cartes NXP FRDM-A-S32K312 et FRDM-A-S32K344 : plateformes de développement flexibles et évolutives pour applications automobiles et industrielles

Mouser Electronics, Inc., le distributeur mondial agréé des composants électroniques et produits d’automatisation industrielle les plus récents, stocke maintenant les cartes d’évaluation et de développement FRDM-A-S32K312 et FRDM-A-S32K344 de NXP®Semiconductors. Ces cartes font partie de la plateforme (...)

La deuxième saison de Farnell Top Tech Voices s’est conclue avec plus de 3,6 millions de vues au niveau mondial

Cette saison, nous avons exploré les liens entre la technologie, le bien-être, la durabilité, les neurosciences et l’avenir des villes Leeds, Royaume-Uni – 2 juillet 2026 : Farnell a conclu la deuxième saison de son podcast primé Top Tech Voices, qui a réuni des experts et des penseurs de renom pour (...)

Technologies de disque dur de nouvelle génération : Gain d’énergie pour les opérations d’écriture

Par Dean Edwards*

Les disques durs (HDD) demeurent indispensables pour le stockage économique de grands volumes de données. Toutefois, la méthode d’enregistrement magnétique perpendiculaire (PMR), utilisée depuis vingt ans, a atteint ses limites physiques. Les technologies d’enregistrement magnétique assisté par (...)

Microchip lance les modules d’alimentation mSiC® HV-D3 3,3 kV destinés aux transformateurs à semi-conducteurs pour les centres de données IA

Les nouveaux modules en carbure de silicium fournissent les performances thermiques et l’efficacité nécessaires aux SST pour augmenter la puissance disponible pour les traitements d’IA générative Microchip Technology (Nasdaq : MCHP) annonce ce jour la mise à disposition de ses nouveaux modules (...)

Siemens et IFS s’associent pour boucler la boucle du cycle de vie produit grâce à l’IA industrielle

Les leaders de l’IA industrielle entendent relier conception, production et performance des actifs dans une boucle continue, de l’intention d’ingénierie au résultat opérationnel. Ce partenariat vise à améliorer la productivité et l’adaptabilité des industriels en connectant des systèmes de (...)

Keysight et WIN Semiconductors collaborent pour réduire les risques de conception des composants RF haute fréquence

Un nouveau workflow de conception de MMIC au GaN réduit les risques de fabrication pour la 5G, le satellite et la défense Keysight Technologies, Inc. (NYSE : KEYS) et WIN Semiconductors Corp. annoncent le lancement d’un workflow conjoint de conception de MMIC, permettant aux bureaux d’études (...)

ODU-MAC® RAPID : nouvelle variante de boîtier métallique

ODU propose une alternative au boîtier en plastique actuel

Le nouveau boîtier métallique ODU-MAC® RAPID est une variante supplémentaire de la gamme ODU-MAC® RAPID. L’utilisation du métal à la place du plastique permet d’obtenir une épaisseur de paroi plus fine. Cela rend ce boîtier idéal pour les systèmes où l’espace est limité, en particulier dans les secteurs du (...)

Würth Elektronik ICS présente le Splitter C2-PE4

Une solution robuste pour des connexions de masse durablement fiables Les connexions de masse desserrées ou corrodées provoquent régulièrement des problèmes dans les véhicules utilitaires et les engins mobiles. Avec le Splitter C2-PE4, Würth Elektronik ICS propose une solution simple permettant de (...)

XJTAG étend le support des contrôleurs FTDI

XJTAG démocratise le test électronique L’interopérabilité accrue des solutions de test simplifie les flux de travail pour les ingénieurs hardware et réduit le besoin en matériel propriétaire. L’optimisation des processus de test et de programmation en environnement industriel franchit une nouvelle (...)

Toshiba lance un MOSFET de puissance canal N de 1,4 mΩ et 80 V destiné aux équipements industriels à haut rendement

La gamme U-MOS11-H offre de faibles pertes et une capacité de courant de drain élevée dans un boîtier compact de 4,9 × 6,1 mm Düsseldorf, Allemagne, le 30 juin 2026 – Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé le TPM1R408RH, un MOSFET de puissance canal N de 80 V basé sur sa toute dernière (...)