Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Le rendement et la fiabilité sont de plus en plus importantes dans les applications énergétiques, notamment pour permettre aux fabricants de respecter des normes internationales plus strictes. Les MOSFET à superjonction SUPERFET® III FAST SJ 650 V offrent des performances de commutation supérieures à celles des autres MOSFET à superjonction du marché, avec un rendement plus élevé et une fiabilité système supérieure. Ces fonctionnalités sont très demandées sur certains marchés à croissance rapide, comme la 5G, les stations de recharge pour véhicules électriques (VE), les télécoms et le secteur des serveurs.
ON Semiconductor a présenté également des diodes SiC 1 200 V nouvelle génération qualifiées AECQ101 pour l’automobile et pour les applications industrielles, idéales pour les stations de charge de VE et les onduleurs photovoltaïques, les alimentations UPS, les chargeurs de VE embarqués (OBC), et les convertisseurs DCDC de VE. Les diodes SiC offrent des avantages significatifs par rapport aux solutions silicium, notamment une plus grande fiabilité, des EMI plus faibles et des exigences de refroidissement inférieures. Ces nouvelles diodes marquent un progrès par rapport aux diodes SiC de première génération, grâce à une taille de puce plus petite et à une capacitance plus faible. Les NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120Cet NDSH50120C offrent une chute de tension directe plus faible et un courant nominal 4 fois plus élevé, avec un taux de variation (di/dt) plus élevé de 3 500 A/μs. La taille inférieure de la puce permet aussi d’obtenir une résistance thermique inférieure de 20% en boîtier F2.
