
C’est à l’occasion du salon PCIM 2026, qui se déroulera du 9 au 11 juin à Nuremberg (Allemagne) que Texas Instruments (TI) dévoilera en quoi les innovations technologiques dans le domaine des semi-conducteurs aident les ingénieurs d’aujourd’hui à optimiser l’efficacité, à intégrer davantage de puissance dans des espaces plus réduits et à prendre en charge des tensions plus élevées. La présentation se tiendra dans le Hall 7, stand 652, et mettra en avant les innovations de TI qui révolutionneront l’avenir de l’alimentation électrique.
Développer des véhicules électriques plus sûrs, plus intelligents et plus efficaces : TI est à la pointe des innovations visant à prolonger la durée de vie des batteries, à renforcer la sécurité et à prévenir les pannes critiques grâce à des technologies telles que la gestion prédictive des batteries, la conversion de puissance single-stage et les architectures 48 V. Ces nouvelles solutions contribuent à accélérer le développement des véhicules électriques et à commercialiser plus rapidement les véhicules de prochaine génération.
Optimiser le réseau grâce à une électrification plus intelligente : Les technologies à large bande interdite GaN et SiC de TI offrent l’efficacité et la densité de puissance dont les ingénieurs ont besoin pour les convertisseurs bidirectionnels, les systèmes de stockage d’énergie intelligents et la recharge de véhicules électriques à l’échelle du mégawatt. Associées à l’IA en périphérie pour un contrôle en temps réel et à faible encombrement, les solutions de TI aident les ingénieurs à optimiser le réseau électrique.
Construire des centres de données d’IA de prochaine génération : TI révolutionne le circuit d’alimentation entre le réseau et le circuit intégré grâce à des produits et des conceptions innovants qui prennent en charge des architectures 800 VCC tout en optimisant la densité de puissance et l’efficacité de conversion. Ces technologies permettent de répondre à la demande massive de puissance de calcul requise par les charges de travail d’IA de demain, tout en garantissant un fonctionnement évolutif et fiable des centres de données d’IA.
Mardi 9 juin
12 h 45, heure d’Europe centrale (CET) : Tim Hegarty présente « An Integrated Active EMI Filter to Attenuate Both DM and CM Noise in Single-Phase AC Systems » (Un filtre EMI actif intégré permettant d’atténuer les bruits DM et CM dans les système CA monophasés) dans le Hall 4A.
15 h 30 CET : Ricardo Ruffo présente « Performance Assessment of a Split-Phase String Inverter Based on Integrated Gate Driver GaN FET » (Évaluation des performances d’un onduleur string à phase divisée reposant sur un FET GaN à circuit d’attaque intégré) dans le Hall 4A.
Mercredi 10 juin
9 h 50 CET : Daniel Norwood présente « Silicon Carbide Reliability During 960V DC Link Capacitor Active Discharge » (Fiabilité du carbure de silicium lors de la décharge active d’un condensateur de liaison CC 960 V) sur la scène St Petersburg, Niveau 2.
15 h 30 CET : Esteban Garcia présente « Integrated High Voltage Resistors for Voltage Monitoring in Isolated and Non-Isolated Systems » (Résistances haute tension intégrées pour le contrôle de la tension dans les systèmes isolés et non isolés) dans le Hall 4A.
15 h 30 CET : Nicholas Oborny présente « Enabling Compact and Efficient Motor Drives for Robotics through GaN Half-bridge Power Stage » (Permettre des entraînements de moteurs compacts et efficaces pour la robotique grâce à l’étage de puissance demi-pont GaN) dans le Hall 4A.
15 h 30 CET : Anthony Lodi présente « Reliability and Robustness for 3 Phase GaN IPMs in Motor Driver Applications » (Fiabilité et robustesse des IPM GaN triphasés dans les applications de commande moteur) dans le Hall 4A.
Jeudi 11 juin
11 h 15 CET : Nicholas Oborny présente « Miniaturization in Low Voltage Motor Drives Through Integration and Flip Chip Power Packaging » (Miniaturisation des commandes moteurs basse tension grâce à l’intégration et aux boîtiers de puissance Flip Chip) dans le Hall 4A.